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      LCD液晶屏所用透明導(dǎo)電玻璃是指在普通玻璃的—個(gè)表面鍍有透明導(dǎo)電膜的玻璃。最早的透明導(dǎo)電膜的商品名為NESA膜，它是為制造防止飛機(jī)舷窗結(jié)凍和制造監(jiān)視加熱液體內(nèi)部反應(yīng)情況的透明反應(yīng)管而研制的，它的成分是SnO₂。但SnO₂透明導(dǎo)膜不易刻蝕。現(xiàn)在采甩的ITO(1ndiumTin Oxide氧化銦錫)的成分是In₂O₃和SnO₂，ITO膜是在In₂O₃的晶核中摻人高價(jià)Sn的陽離予，摻雜的量以Sn的含量為10％重量比最佳。ITO是一種半導(dǎo)體透明導(dǎo)電材料、禁帶寬度為3eV以上，具有兩個(gè)施主能級，為n型施主能級，離導(dǎo)帶很近，自由電子密度=10²⁰~10²¹個(gè)/cm³；遷移率為10—30 cm³/v.s。所以電阻率很低，可低至l0^-4Ω.cm量級。

   用Sn⁺⁴離子占據(jù)晶格中In⁺³離子的位置，會(huì)形成一個(gè)正1價(jià)電荷中心和1個(gè)多余的價(jià)電子,這個(gè)價(jià)電子掙脫了束縛便成為導(dǎo)電電子。

一般的玻璃材料為鈉鈣玻璃，這種玻璃襯底與ITO之間要求有1層SiO₂阻擋層，似阻擋玻璃中的鈉離子滲透。因ITO膜生產(chǎn)過程中，玻璃襯底處于150'℃~300℃溫度下，如果玻璃中的鈉離子擴(kuò)散進(jìn)入ITO膜中，形成受主能級，對施主起補(bǔ)償作用,引起導(dǎo)電性能下降。如果玻璃村底為無鈉硼硅玻璃；，則可不用SiO₂阻擋層。對于某些高檔產(chǎn)晶的制造，有時(shí)需在ITO外層加1層SiO₂層，這是為了增加橫向的絕緣性。

在玻璃襯底上制備透明導(dǎo)電膜的方法有噴霧法、涂覆法、浸漬法、真空蒸發(fā)法、濺射法等多種。目前大生產(chǎn)中主要用直流磁控濺射法，氣功以穩(wěn)定，膜的質(zhì)量好，但靶材料利用率只有25％-30％。現(xiàn)在已開發(fā)出使用交流電源驅(qū)動(dòng)磁場移動(dòng)的方法，可使靶材料利用率增至 40％左右。

    濺射靶材過去用高純銦錫合金，其比例為Sn／(In+Sn)=8％~13％，合金熔點(diǎn)為173℃。現(xiàn)在直接采用氧化銦錫靶鍍膜工藝，但I(xiàn)TO靶比銦錫合金靶貴得多，目前還是靠進(jìn)口-的。